KREMNIYLI P-N ÓTIWDEGI LAVINNO PROLIOTLI DIODLARINIŃ TERMIK QARSILIǴI

Abdreymov A. A.; Turdımuratov A. S.; Хоjаmuratova J. R.

Authors

Abdreymov A. A.
Turdımuratov A. S.
Хоjаmuratova J. R. Berdaq atindaǵı qaraqalpaq mámleketlik universiteti

Keywords:

Avalanche proliot diode, thermal resistance, thermal conductivity.

Abstract

In this article, when studying the thermal resistance of lavandon-proliot diodes, an increase in the power of microwave generators in the LTD and the expansion of the operating frequency range necessitated a complete and accurate calculation of a number of characteristics of the LTD. Based on the thermal properties of the diode structures, the generation parameters in the LTD are determined; therefore, it is necessary to take into account the thermal conductivity of the semiconductor material in breakdown modes with a high current density

References

Дульнев Г.Н. Методы расчета теплового режима приборов/ – М.: Радио и связь, 1990. – 310 с.

Дульнев Г.Н. Применение ЭВМ для решения задач теплообмена: - М.: Высшая школа, 1990. – 206 с.

Захаров А. Л., Асвадурова Е. И.Метод расчета тепловых сопротивлений мощных транзисторов.Полупроводниковые приборы и их применение, 1968, вып. 20, с. 63-81.

Тагер А.С Вальд-Перлов В.М. Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ. М., Сов. радио, 1968. 335с.

Фистуль В. И. Сильно легированные полупроводники.М., Наука,1967, с.158-160. 6.Бономорский О., Воронин П., Куканов В., Щепкин Н. Сравнительные экспериментальные исследования модулей IGBT и модулей на основе комбинированных СИТ МОП-транзисторов // Силовая электроника. 2004. № 7.Колпаков А. И. Тепловые характеристики интеллектуальных силовых модулей фирмы SEMIKRON // Компоненты и технологии. 2003. № 4. 8.Колпаков А. И. Расчет тепловых режимов MOSFET-транзисторов с помощью программы HEXRISE // Компоненты и технологии. 2002. № 5. 9.Захаров А. Л., Асвадурова Е. И. Расчет тепловых параметров полупроводниковых приборов. Метод эквивалентов. М.: Радио и связь, 1983.